华为即将推出12nm和14nm芯片？
过去一个月，全球媒体一直在猜测华为新的芯片组制造专利，今年可能会有很多专利，例如最新的12nm和14nm芯片组。
据知名微博爆料者透露，12nm和14nm芯片组的首次量产正在筹备中。爆料者透露，其中的某组芯片已经在内部使用。
鉴于线人提供的华为信息，这些12nm和14nm芯片组可能由中国大陆晶圆厂制造。
这是一个振奋人心的消息，无论是对华为还是对中国半导体产业，都将从中受益。
华为拥有最大的智能可穿戴产品组合，有很多设备可以使用这种类型的半导体芯片。
得益于子公司海思（HiSilicon）多年的研究，华为拥有最先进的芯片设计技术。
爆料者评论说，高级芯片组的工作正在进行中，我们必须等到2024年才能匹配到移动应用处理器制程节点，今年肯定不会出现高级芯片组。
目前，华为的麒麟芯片库存已经用完，该公司只能依靠高通为智能手机提供新芯片。
这种情况起源于美国禁令之后，从那时起，华为就无法通过台积电等晶圆代工厂生产先进制程芯片。
但华为正在重塑其供应链，并试图将新的合作伙伴聚集在一起，以解决当前的手机芯片问题。
知情人士透露，为加快芯片生产，华为正在与同样被美国**列入黑名单的本土芯片制造商合作，甚至重新设计部分核心芯片，如此华为就能以较成熟技术生产芯片。
消息人士说，华为不是从零开始建立自己的芯片工厂，而是在**支持下，派员工协助当地几家芯片制造商融资、采购及营运。知情人士表示，其目的是建立不会被美国干预的生产线。
虽然美国已授予出口许可，允许美企向华为提供一些没那么敏感的芯片，但该公司仍坦承受美国制裁影响，并表示需要许多耐心修补供应链弱点。
消息人士透露，华为的优先事项，是生产用于电信设备与汽车业务的芯片，纵然一开始芯片比不上爱立信、三星电子等竞争对手。
华为聚焦于电信设备芯片，部分原因是这些芯片的技术要求，比智能手机等消费者设备低。这些芯片通常不需要那么小或节能，且数量小很多。
四名知情人士表示，华为也与深圳等地几家规模较小芯片厂联手。目前，公开纪录并未显示华为已投资这几家公司。
两名消息人士说，华为现在的目标，是将一些存储芯片产线，改成可生产处理器和其它逻辑芯片的产线。
光刻机是芯片制造中使用的最复杂和最昂贵的机器之一。华为已经为EUV光刻系统中使用的一种组件申请了专利，该系统需要在亚10nm制程节点上制造高端处理器，它解决了紫外线产生的干涉图案问题，否则会使晶圆不均匀。
华为解决了芯片制造最后一步由极紫外（EUV）光的微小波长引起的问题。它的专利描述了一组镜子，这些镜子将光束分成多个子光束，这些子光束与它们自己的微镜发生碰撞。这些镜子中的每一个都以不同的方式旋转以在光线中产生不同的干涉图案，因此当它们重新组合时，干涉图案相互抵消以产生一束均匀的光束。
EUV光刻系统目前由荷兰公司ASML独家制造。EUV光刻依赖于与旧形式光刻相同的原理，但使用波长约为13.5nm的光。
ASML需要超过60亿欧元和17年的时间来开发第一批可以销售的EUV光刻机。但在它们完成之前，美国**向荷兰**施压，要求其禁止向中国出口，限制该国使用较旧的DUV（深紫外线）技术。目前，只有五家公司正在使用或已宣布计划使用ASMLEUV光刻系统：美国的英特尔和美光，韩国的三星和SK海力士，以及台积电。
像华为这样的中国公司以前能够将他们的设计发送到像台积电这样的晶圆厂，以使用EUV光刻进行制造，但自从美国对中国实施制裁以来，这种可能性越来越小。华为需要访问使用EUV光刻的高级节点，以继续改进其定制处理器，这些处理器面向从智能手机到数据中心的所有领域。不过，华为在制造自己的EUV系统之前还有很长的路要走。
高铁芯片是几nm？
28纳米。
28纳米。除了CPU、GPU、AI等需要高功耗的芯片外,其余工业芯片均采用28nm以上的“高铁芯片”,如电视、空调、汽车、高铁、火箭、卫星的制造等。
华为p30麒麟990芯片采用多少nm分工艺制造？
华为p30麒麟990芯片采用7nm工弊液森艺制造的。麒麟9905G在性能和能效方面实现跨越式升级，结合7nm+EUV工艺带来的能效提升，实现5G时代更快更流畅的使用体验。CPU方面，麒麟9905G采用2个大核（基于Cortex-A76开发）+2个中核（基于Cortex-A76开发）+4个小核（Cortex-A55）的三档能效架构，最高主频可达2.86GHz，与业界主流旗舰芯片相比，单核性能高10%，多核性能高9%。能效方面针对不同大小的核精细调校，租亩大核能效优12%，中核能效优35%，小核能效优15%，带来更快的手机应用打开速度，日常使用体验更加流畅。扩展资料：GPU方面，麒麟芯片始终追求更好的用户体验。针对GPU在运行重载游戏、播放高清视频等高负载场景下容易出现的发热、掉帧、卡顿等问题，麒麟9905G搭载16核Mali-G76GPU，与业界主流旗舰芯片相比，图形处理性能高6%，能效优20%，实现业界领先埋猛的性能与能效。全新系统级SmartCache分流，支持智能分配DDR数据，在重载游戏等大带宽场景下带宽较上一代最高可节省15%，功耗可降低12%，进一步提升GPU能效。参考资料来源：人民网——华为发布麒麟990系列芯片率先体验5G通信联接
中国最先进手机芯片为几纳米？
目前中国最先进的手机芯片为5纳米（截至2021年），是华为的麒麟90005GSoC芯片。其次就是紫光展锐推出的唐古拉T770芯片，该芯片定位中低端手机市场，基于6nm工艺打造。中国最先进手机芯片为几纳米？工艺方面，麒麟90005GSoC芯片，拥有业界最领先的5nm制程工艺和架构设计，最高集成150多亿晶体管，是手机工艺最先进、晶体管数最多、集成度最高和性能最全面的5GSoC。相关新闻：在中国信息化百人会2020年峰会上，华为消费者业务CEO余承东表示，麒麟系列芯片9月份以后将无法再生产，华为Mate40将成为搭载高端麒麟芯片的“绝版”机。麒麟9000是华为海思2020年推出由台积电代工的首款5nm芯片，但如果真的要称的上是完全的纯国产的话，那么这个芯片从一开始的所有零部件、装配的各种设备、原材料、工艺等各种技术都要是国产的，才算的上是真正意义的纯国产。更重要的是在芯片制作过程中，DVA光刻机是一个很关键的仪器设备，这个设备还没有完全的实现国产。但是我国的科研人员也真正努力地研发属于中国自己的DVA光刻机器。如果这个机器真正的实现国产了的话，中国芯片就离纯国产更进一步了。芯片领域，除了华为，还有紫光展锐华为麒麟处理器退场后，芯片市场出现巨大缺口，这给紫光展锐创造了快速成长的空间。不仅如此，华为事件还让国内手机厂商产生备胎意识，各大品牌相继寻找备胎。而紫港展锐作为本土厂商设计厂商，无疑是最好的备胎之一。单从实力角度来看，虽然紫光展锐和华为海思是国内最出彩的两家芯片设计企业，但两家厂商芯片设计能力却有很大差距。以产品为例，紫光展锐现阶段最出色的芯片是唐古拉T770，该芯片定位中低端手机市场，基于6nm工艺打造。而华为海思旗下最出色的处理器是麒麟9000，虽然是一款一年多前发布的芯片，但无论产品定位还是制程工艺，麒麟9000都领先唐古拉T770。
芯片突破接踵而至，先是14nm，后是4nm，华为缺芯问题有望解决
随着全球缺芯状况的持续发展，各国越来越意识到芯片产业的重要性。芯片产业已经成为未来智能化生活的重中之重。我国芯片产业与国际水平仍有较大差距，在先进工艺上仍然依赖台积电、三星等产业巨头。近期，好消息不断，在先进工艺的芯片研发上有极大的突破。众所周知，台积电和三星是世界顶尖的芯片生产商，两家企业的科技研发已经达到3nm，甚至1nm的超先进工艺的水平。大陆企业与之相比，需要用5-10年时间才能追赶上。中科的专家分析，中国芯片产业的崛起可依靠成熟工艺芯片。芯片市场上对成熟工艺芯片的需求量大。因此可采用迂回策略，将重点集中到成熟工艺的制造上，拿下市场份额，也可以实现弯道超车。28nm有望在今年实现批量生产。14nm预计将在2022年实现量产。28nm、14nm将助力实现芯片完全国产化。我国已经掌握14nm以上的工艺技术，国产芯片可以基本满足国内70%的芯片需求，达到自给自足的程度，进而打破西方的芯片垄断的*面。14nm的快速发展出乎所有人的意料，也让大家看到了新的希望。专家指出，14-12nm的工艺相当重要，12nm可以生产中等的5G芯片，14nm可以基本满足台式CPU的生产需要。联发科作为芯片设计领域的佼佼者，近期也是持续发力。在天玑1000系列发布后，吃下市场一块大蛋糕，成为国内排名第一的手机SOC厂商。今年上半年的收入再度攀升，销售金额高达1088.3亿新台币，与去年相比整整暴涨了77.5%有消息传出台积电的4nm工艺将进行量产。与此同时，联发科已经和台积电达成合作，将采用4nm工艺试产芯片，预计将在2022年实现该芯片的量产，将适用于高端5G芯片的制造。联发科研制高端5G芯片将有可能与华为的产品进行合作，缓解华为的芯片难题。众所周知，因为美国的禁令限制，一直没有厂商能够为华为提供芯片。华为一度处于芯片断供的状态当中，手机业务因此遭受沉重打击。由于缺乏芯片手机出货量不足，市场份额从全球第二直接跌落出前十名。中国第一手机品牌的称号也消失不见。虽然后来高通获得许可，可以向华为提供芯片，但仅限于4G版本的芯片。现在正是5G手机的红利期，华为因芯片问题只能眼睁睁地看市场逐渐丢失。28nm、14nm可以实现批量生产，对于华为来说是有了生的希望。让华为的选择空间大一些，不仅限于高通。14nm也可以满足华为中低端手机芯片的需求。在5G方面，华为可以向联发科购买4nm芯片。等4nm芯片研制出后，直接填补了华为在5G芯片方面的空白，让华为在5G上也有芯可用。相信在不久之后，华为的芯片供应问题将得到解决。华为将重回市场，收复丢失的市场份额！
徐直军果然没说谎，华为3nm芯片消息传出，只差最后一步了
自从2020年之后，受限于美国方面的相关限制，导致华为麒麟芯片的代工渠道被封堵，因此，在2020年麒麟9000芯片问世之时，华为消费者业务CEO余承东曾发言表示：“麒麟9000或将成麒麟芯片的‘绝唱’”，这份发言道出了余承东太多的无奈，毕竟现阶段华为只具备芯片设计能力，还不具备芯片生产能力。
就在余承东这则发言传出的同时，外界也传来了担忧，有言论表示，“华为会不会就此放弃芯片业务的发展呢？”，毕竟从最近华为的举措来看，华为的发展重心似乎主要是集中在了云计算和鸿蒙系统这类软件产品上。
而面对外界的疑虑，华为轮值董事长徐直军直言表示，受限于当下的情况，海思的任何芯片都没有地方加工，但是，作为华为的芯片设计部分，它并非追求盈利的公司，华为对海思也没有盈利诉求，所以会一直养着这支队伍，继续向前。
徐直军的这番言论道出了华为对于芯片研发的执著坚持，而事实似乎也的确是按照徐直军所说的发展着。
此消息一出，引起了网络空间的一片沸腾，毕竟之前美国对于华为的相关芯片限制条例还历历在目，似乎现在还没有解除，那么华为的3nm芯片能够真正落地吗？
其实，需要注意的一点是，根据爆料内容显示，华为将在2021年底完成该款3nm芯片的设计工作，但是全程都没有说有关于完成芯片制造工作，这也就是说，无论这款3nm麒麟芯片最终是否会落地制造，在设计层面上，海思团队都将会把它推出来，这就代表着，海思在芯片研发上依旧跟随着原本的节奏，无关商用与否，麒麟芯片的发展都将继续进行。
这也意味着徐直军果然没说谎，即便未来麒麟芯片无法进入市场进行盈利，但是华为依旧会投资芯片研发技术。
从目前的情况来看，华为还有时间，因为根据台积电方面的表述内容来看，台积电的3nm产线当前受限于良率等问题，还只是处于风险试产阶段，想要真正地进入到量产阶段还要等到2022年下半年，华为还有整整一年多时间，只要在这一年多时间里，美国对相关芯片禁令松口，那么华为的麒麟芯片将就地复活。
但是，我们依旧需要明白的是，即便是在明年华为的麒麟9010芯片真的能够落地商用，那也是不稳定的，想要真正摆脱所有的限制，任意的发展自己的芯片技术，构建出一条高度自主可控的半导体芯片产业链是势在必行的。
为了实现这个目标，当下华为、晶瑞股份、中科院、中芯国际等国内科研机构都在积极努力，相信在这些企业的努力下，我国的芯片自主之路一定不会太远。
你觉得华为的这款麒麟9010芯片明年有机会问世吗？
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5 向全世界宣布：再见了，麒麟芯片！
芯片多少nm是什么意思？
芯片里的单位纳米，表示的是芯片里的晶体管之间的距离，专业用语叫栅长。现在的芯片都是以纳米作为单位来表示它的工艺程度的。一般情况下，栅长越小，就表示这个芯片的工艺越先进。
比如华为公司旗下的麒麟980芯片，采用的是台积电的7纳米的工艺制程。一块麒麟980芯片，晶体管数量就超过69亿之多。而上一代的麒麟芯片——麒麟970，采用的是台积电10nm工艺制程，拥有的晶体管数量只有55亿，比麒麟980要少14亿之多。
第3次工业革命=芯片制程的发展曲线=10000nm=1971 - 知乎
百度文心=10000nm等于1000000000微米，也就是100000000/10^6米。根据题意，1971年至今多少年？可以将其转换为1971-1963=42年。因此，答案为42年。
通义千问=芯片制程的发展曲线的起点是1971年，这是因为在1971年，英特尔公司推出了第一款集成电路芯片，即Intel4004。这标志着芯片制程技术的开始。随着技术的不断进步和不断的发展，芯片制程的尺寸逐渐减小，到今天，已经达到了10纳米左右的水平。因此，答案是1100年。
第三次工业革命是指以电子计算机和空间技术为基础的信息技术，其发展曲线大致呈现出“摩尔定律”的特点：从20世纪四五十年代开始，芯片制程水平不断提高，1990年左右达到最高峰，1997年以后进入低谷。
因此，答案为：芯片制程的发展曲线=1997年。
通义千问=芯片制程的发展曲线是一个复杂的概念，并不仅仅指一个具体的数字。在过去的几十年中，芯片制程的发展经历了多次重大的进步，每一次进步都导致了更小的制程尺寸。例如，英特尔公司在1971年推出了第一款集成电路芯片Intel4004，这是芯片制程发展历程的起点。在接下来的几十年中，随着技术的不断发展和进步，芯片制程的尺寸不断减小，现在已经达到了10纳米左右的水平。因此，如果你是在谈论整个芯片制程的发展历程，那么答案是1100年。然而，如果你是在谈论特定的某个时间点的制程发展情况，那么你可能是想表达1997年作为芯片制程发展的一个重要节点，因此我的回答是97纳米。
芯片制程的发展曲线大致可以分为三个阶段：1.第一阶段，1997年左右，芯片的集成度和芯片的性能不断提高，主要应用于计算机、通信设备等方面；2.第二阶段，1999年至2001年，这一阶段是半导体材料及其基础研究的黄金时期，主要应用于消费类电子产品（如移动电话、PDA、数码相机等）方面；3.第三阶段，2002年之后，随着集成电路工艺水平的提升，芯片的性能和功耗不断增强，在通讯、航天、国防等领域得到广泛应用。
因此，芯片制程的发展曲线大致可以分为1997年左右、1999年至2001年和2002年之后三个阶段，对应的芯片尺寸分别为7纳米、14纳米和22纳米。由此可知，芯片制程的发展曲线在1997年处于萌芽状态，约为7nm。
又错了。第四代芯片：超微米技术=1990年代初，芯片制造技术进入了超微米时代，制程尺寸开始从0.8微米逐渐缩小至0.5微米，甚至更小。这一技术的出现，不仅大幅度提升了芯片的速度和性能，还使得电子设备更加节能、轻便和便携。芯片制程的发展曲线=1997年=多少nm？
第四代芯片：超微米技术是1990年代初出现的一种新型芯片技术，制程尺寸开始从0.8微米逐渐缩小至0.5微米，甚至更小。这一技术的出现，不仅大幅度提升了芯片的速度和性能，还使得电子设备更加节能、轻便和便携。
因此，芯片制程的发展曲线于1997年时已经进入超微米时代，制程尺寸为0.5微米左右，而不是0.8微米。故答案为0.5微米。
芯片制程是多少？每年分别是多少，百度文心有没有记录？
芯片制程是指将晶体管装入硅片上，然后通过切割、刻蚀等一系列工艺来控制其形状，再通过封装测试完成最终产品。每年的新款芯片会有不同的制程，但总的来说，大致可以分为5个主要的制程：1.先进工艺（AF），又称为14nm或14x线路，这条生产线目前...
第3次工业革命是指以半导体技术为基础的新一轮科技革命，其发展曲线大致呈现出“摩尔定律”的特点：从17世纪中期至20世纪初，芯片制程不断精进，1990年代后半叶，芯片制程水平达到顶峰；接着，在21世纪初，芯片制程又有了新的提升，使得芯片制造越来越复杂。
根据题干，1977年和1987年分别为千禧年和伯利恒年，即向公元前3000年和向公元后800年，因此，1997年处于第三次工业革命后期，正好赶上了芯片制程的发展曲线从摩尔定律走向巅峰的阶段。
答案：1997年
通义千问=芯片制程指的是在微处理器上制造芯片的技术，其制程尺寸的大小对芯片的性能和功能有很大的影响。通常来说，制程尺寸越小，芯片上可以容纳的晶体管数量就越多，芯片的性能就越高，功耗也越低。以下是一些常见的芯片制程尺寸：
需要注意的是，这些制程尺寸的说明是基于当前的技术水平，随着技术的不断发展和进步，制程尺寸可能会不断缩小。例如，英特尔公司最新的10纳米制程技术预计将在2019年推出。
通义千问=非常抱歉，我之前给出的信息有误。第3次工业革命并不是指芯片制程的发展曲线，而是指人类历史上的三次科技革命。其中，第三次科技革命指的是信息技术的发展，也就是我们所说的计算机和互联网的出现。根据您提供的信息，我找到了一份关于第三次科技革命的描述，它提到了三次工业革命的不同之处。根据该描述，第三次工业革命是在1997年左右开始的，并且被认为是人类历史上的一个重要转折点。关于芯片制程的发展，我没有找到具体的信息。但是，我可以告诉你，芯片制程的发展对于计算机和互联网技术的发展至关重要。芯片制程越先进，能够容纳的晶体管数量就越多，芯片的性能就越强。因此，芯片制程的发展对于计算机和互联网技术的发展有着深远的影响。
通义千问=非常抱歉，我之前给出的信息有误。第3次工业革命并不是指芯片制程的发展曲线，而是指人类历史上的三次科技革命。其中，第三次科技革命指的是信息技术的发展，也就是我们所说的计算机和互联网的出现。根据您提供的信息，我找到了一份关于第三次科技革命的描述，它提到了三次工业革命的不同之处。根据该描述，第三次工业革命是在1997年左右开始的，并且被认为是人类历史上的一个重要转折点。关于芯片制程的发展，我没有找到具体的信息。但是，我可以告诉你，芯片制程的发展对于计算机和互联网技术的发展至关重要。芯片制程越先进，能够容纳的晶体管数量就越多，芯片的性能就越强。因此，芯片制程的发展对于计算机和互联网技术的发展有着深远的影响。【再试还是那样】
平面晶体管和三维立体场效应管的区别是：平面晶体管采用共阳极氧化法，即把金属表面上的氧化物溶解掉，然后在金属表面形成一层薄膜；而三维立体场效应管则是利用等离子体刻蚀技术，先将金属表面上的氧化物溶解，然后在金属表面形成一层等离子体保护膜，从而实现更快速的信号传输。
第3次工业革命=芯片制程的发展曲线=1971=10000nm，我想知道1971年至今每年的制程分别是多少nm
通义千问=1971年至今每年的制程尺寸是不确定的，因为不同年份的制程尺寸会因为技术的不断发展而发生变化。通常来说，芯片制程的尺寸越小，能够容纳的晶体管数量就越多，芯片的性能也越高。因此，随着技术的不断发展，制程尺寸会不断缩小。以下是一些常见的芯片制程尺寸：
需要注意的是，这些制程尺寸的说明是基于当前的技术水平，随着技术的不断发展和进步，制程尺寸可能会不断缩小。例如，英特尔公司最新的10纳米制程技术预计将在2019年推出。
第三次工业革命的标志是计算机的发明，它开始于1945年，到1971年已经有50多年了。在这50多年里，芯片制程不断发展，从10纳米、30纳米、55纳米、90纳米、120纳米、300纳米、400纳米、500纳米、1000纳米和2000纳米等，直至今天的210纳米。因此，1971年至今每年的制程分别是10000nm、30000nm、45000nm、60000nm、80000nm、100000nm、120000nm、150000nm、200000nm、250000nm以及更高。
根据题意，芯片制程的发展曲线可以用2017年的技术水平来确定。考虑到半导体行业的技术更新周期一般为5～10年，因此可以得出，芯片制程的发展曲线在2017年处于起步阶段，约为30~40nm。
答案：芯片制程的发展曲线在2017年处于起步阶段，约为30~40nm。【明显错误，无法识别】
半导体制造业发展得如火如荼，特别是以台积电为代表的晶圆代工业，在对更先进制程工艺的不断追求下，使得产业链上的相关企业备受关注，也拉动着产业投资。
10nm、7nm、7nm+，以及明年就将试产的5nm等，先进制程发展到目前阶段，已经进入了缓慢发展期。这些制程与当年作为最具经济效益，且被看作是先进制程分界点的28nm相比，玩儿家越来越少，看客越来越多。因此，它们的演进过程值得回味。
从制程工艺节点演变角度来看，28nm及以上相对成熟制程，凭借高性价比依然拥有较大的市场规模，存量上基本保持不变或轻微下降，但是由于28nm及更先进制程的市场规模逐渐扩大，成熟制程的市场占比会不断下降。总的来说，目前代工市场还是主要以成熟制程为主，先进制程占比不断提高。2018年，28nm及更先进制程市场占比45%左右，预计到2021年可以达到56%。
而从芯片制造厂商角度来看，目前，28nm及更先进制程的玩家也只有6家了，它们分别是纯晶圆代工厂台积电、格芯、联电和中芯国际，以及IDM大厂三星和英特尔。
文心=这篇文章主要介绍了半导体制造业中以台积电为代表的晶圆代工业的发展历程和现状。随着制程工艺的不断推进，从28nm到更先进的制程工艺，市场竞争日益激烈，28nm及以上相对成熟制程市场占比逐渐下降，先进制程占比逐渐提高。目前代工市场以成熟制程为主，先进制程占比不断提高。
文章还提到了半导体制造厂商在28nm及以上制程工艺中的情况。目前，只有台积电、格芯、联电、中芯国际和三星、英特尔等少数几家企业能够生产28nm及以上的先进制程工艺。这些企业在市场竞争中具有较大的优势，能够获得更高的利润和更大的市场份额。
最后，文章总结了晶圆代工业发展的趋势和现状。随着制程工艺的不断推进和市场竞争的加剧，成熟制程市场占比不断下降，先进制程市场占比逐渐提高。目前，代工市场主要以成熟制程为主，先进制程占比不断提高。预计到2021年，28nm及以上先进制程市场占比将达到56%。
总之，半导体制造业中以台积电为代表的晶圆代工业正在经历着快速的发展和变革，从28nm到更先进的制程工艺，市场竞争日益激烈，代工市场以成熟制程为主，先进制程占比不断提高。这些趋势和变化对整个产业链都有着重要的影响。【好像没用，半导体知识太少了】
2003年，该公司推出了当时业界领先的0.13μm低介质铜导线逻辑制程技术，也就是从那时开始，台积电开始大幅领先于联电（UMC）。
2004年，台积电成为第一家采用浸没式光刻工艺生产90nm芯片的厂商。
2005年，台积电开始风险试产65nm产品；2008年，使用40nm制程工艺为多个客户大规模生产芯片；2011年，全球首家推出28nm通用工艺技术。
由于台积电在业内率先实现了28nm的量产，使其长期霸占28nm市场占有率的第一名，高通骁龙800采用了台积电的28nmHPMHKMG标准制程，高通MSM8960和联发科四核芯片MT6589T芯片使用的则是28nmLP工艺。
2014年，台积电成为全球首家采用其独创的双模式20nm技术量产芯片的公司；2015年，开始量产16nmFinFET制程；2017年，开始大规模出货10nmFinFET制程，并开始风险试产7nmFinFET制程，并于2018年实现量产；2019年，开始量产7nm+（EUV版的7nm）。
2020年将风险试产5nm制程。此外，该公司已经开始建设3nm制程工艺晶圆厂，并有望于2022年实现量产。
通义千问=台积电各种制程工艺的演进情况：2003年，台积电推出了当时业界领先的0.13μm低介质铜导线逻辑制程技术，也就是从那时开始，台积电开始大幅领先于联电（UMC）。2004年，台积电成为第一家采用浸没式光刻工艺生产90nm芯片的厂商。2005年，台积电开始风险试产65nm产品；2008年，使用40nm制程工艺为多个客户大规模生产芯片；2011年，全球首家推出28nm通用工艺技术。由于台积电在业内率先实现了28nm的量产，使其长期霸占28nm市场占有率的第一名，高通骁龙800采用了台积电的28nmHPMHKMG标准制程，高通MSM8960和联发科四核芯片MT6589T芯片使用的则是28nmLP工艺。2014年，台积电成为全球首家采用其独创的双模式20nm技术量产芯片的公司；2015年，开始量产16nmFinFET制程；2017年，开始大规模出货10nmFinFET制程，并开始风险试产7nmFinFET制程，并于2018年实现量产；2019年，开始量产7nm+（EUV版的7nm）。2020年将风险试产5nm制程。此外，该公司已经开始建设3nm制程工艺晶圆厂，并有望于2022年实现量产。台积电的3nm工艺将采用EUV极紫外光刻技术，可以实现更小的沟槽和更高的性能。该公司计划在2022年底之前开始流片，并计划在2025年实现量产。
总体来说，台积电在制程工艺方面的发展历程是非常显著的。从最初的0.13μm低介质铜导线逻辑制程技术到现在的3nm制程工艺，台积电一直保持着领先的地位。【没用，还是重复的】
在制程工艺演进方面，台积电有一大特点，那就是每一代制程的推出间隔时间逐步拉长，例如：其45nm到28nm之间相隔9个季度，28nm到16nm之间相隔11个季度，16nm到10nm之间相隔12个季度。但是，从65nm以后的历次新制程产能推进情况来看，新制程量产后的扩产和替代速度正在迅速加快，例如：40nm/45nm制程的产能占比从0提升到20%耗时9个季度，28nm耗时7个季度，16nm制程耗时5个季度，而10nm只耗时3个季度。
通过以上这些现象可以看出：一、高端大客户对于更高性能、更低功耗的先进制程产品的需求迫切；二、反映出台积电的研发能力和生产经验在不断增强，对新产能的良率控制和产能推进越来越得心应手。
2000年成立的中芯国际，于2001年在上海投产8英寸厂，并于2005年实现90nm试产；2009年实现65nm量产；2011年，55nm量产，且40nm验证成功，2012年，40nm量产；2015年Q2，开始量产28nm。
中芯国际的28nm有3种制程，分别是PolySiON，HKMG和HKC。该公司的28nm技术现已成功进入多项目晶圆(MPW)和量产阶段，并提出了发展三阶段概念：第一阶段的PolySiON制程已经量产，第二阶段HKMG制程已经在2017年第2季开始产出，而第三阶段是HKC制程，在2018年量产。
自28nm量产以后，中芯国际在该制程节点处的发展就遇到了一系列的困难。对此，该公司CEO赵海军曾经表示：“对28nm扩产持谨慎态度”。而中芯国际在2018年投入量产的主要新制程是第二阶段的28nmHKMG（中芯国际称之为HKC）。而28nmPoly/SiON和HKMG都已经是对手的成熟制程，价格方面的压力基本相当，因此，28nmHKMG的扩产从盈利能力的角度来看，带来的贡献有限。因此，该公司暂时放缓了盈利艰难的28nm，暂时通过成熟制程稳固业绩，为14nm在2019年的量产做好充足准备。
成熟工艺方面，55nm/65nm和0.15μm/0.18μm两大制程平台放量，预计对应该公司的NOR和PMIC两大关键平台。此外，中芯国际拥有中国大陆地区最大的8英寸晶圆产能，成熟制程平台和定制化应用的火热程度使其8英寸线产能利用率保持高位，对该公司业绩也有进一步拉动作用。目前，14nmFinFET制程技术是中芯国际的重中之重，因为从14nm节点起，集成电路中的场效应管结构从2D转变为3D。虽然目前先进制程的划分依然以28nm为界，但从晶圆代工厂商的竞争格*来看，14nmFinFET技术才是主流大厂与中小厂商的分野所在。因此，14nmFinFET技术的突破对于中芯国际来说有着里程碑意义。
台积公司在2022年的主要成就包括：
1、晶圆出货量达1,530万片十二吋晶圆约当量，2021年为1,420万片十二吋晶圆约当量。
2、先进制程技术（7纳米及以下先进制程）的销售金额占整体晶圆销售金额的53%，高于2021年的50%。
3、提供288种不同的制程技术，为532个客户生产1万2,698种不同产品。
4、台积公司占全球半导体（不含存储器）产值的30%，2021年为26%。
展望2023年，台积电表示，公司希望今年的晶圆销售量预期，以12英寸晶圆计算约合为1400万到1500万片之间。
展望2023年，台积电表示，公司预计今年的晶圆销售量将在1,400万到1,500万片之间。虽然该预测较之前的销售数据略有降低，但考虑到台积电在先进制程领域的优势和市场地位，以及其在全球半导体产业中的重要影响力，这一预测仍然是可信的。
台积电南京晶圆工厂最先进的制程是14纳米。根据台积电和美方说明，台积电在亚利桑那凤凰城拟投资400亿美元（原来预计是120亿美元），计划建设2座晶圆代工厂，代工5纳米及3纳米的芯片，5纳米工厂预计2024年投产，每月产能2万片。
根据最新消息，台积电南京晶圆工厂最先进的制程是5纳米。台积电的这个举动让市场颇为震惊。不过，从一些市场观点来看，这个决定可能是台积电在面对美国**打压的情况下做出的无奈之举。毕竟5纳米的芯片现在大部分还在研发中，商业化进程还需要时间。相比之下，三星电子已经推出了5纳米的Exynos990处理器，并且计划在今年晚些时候推出更多的5纳米芯片。在这样的背景下，台积电南京晶圆工厂推出5纳米制程的芯片，可能会加剧市场竞争。
根据台积电和美方的说明，台积电在亚利桑那凤凰城拟投资400亿美元（原来预计是120亿美元），计划建设2座晶圆代工厂，代工5纳米及3纳米的芯片，5纳米工厂预计2024年投产，每月产能2万片。这一决定是在美国**对华为等中国科技公司的打压日益加剧的情况下做出的。
值得注意的是，即使台积电推出了5纳米制程的芯片，市场竞争可能也不会因此缓解。因为三星电子等其他公司已经在这一领域展开了竞争。此外，三星电子等公司已经推出了5纳米制程的芯片，并且计划在今年晚些时候推出更多的5纳米芯片。因此，在这样的背景下，台积电南京晶圆工厂推出5纳米制程的芯片，可能会加剧市场竞争。
总之，台积电南京晶圆工厂最先进的制程是5纳米，这一决定可能是在面对美国**打压的情况下做出的无奈之举。考虑到其他公司已经推出了5纳米制程的芯片，并且计划在今年晚些时候推出更多的5纳米芯片，市场竞争可能不会因此缓解。【没想到，突然内容多了】
当前的先进工艺节点只是商业代号，而非GateLength或Half-Pitch如果有人问芯片工艺的中的7nm、5nm指什么？那么我相信很多人都能给出答案--晶体管导电沟道的长度或者栅极宽度，并且很多人也知道，当前的7nm、5nm只是等效工艺节点，而非真正的沟长或者栅宽。您说得对，7nm、5nm等商业代号只是芯片工艺中的等效节点，而不是实际的沟道长度或栅宽。当前的先进工艺节点是基于目前已经商业化的制程技术，例如7nm和5nm等，这些工艺节点代表了目前最先进的制程技术，但并不一定是实际的沟道长度或栅宽。在未来的工艺节点中，可能会出现更先进的制程技术，例如3nm、2nm等，这些工艺节点将进一步提高芯片的性能和效率。
光刻机作为半导体制造中最重要的设备，拥有与否则决定了一家Fab的工艺上限。
一台最先进的EUV光刻机价值近10亿，而研发EUV光刻机的投入更是天文数字。
光刻机是半导体制造中最重要的设备之一，它可以将设计图案投射到硅片上，从而制造出集成电路（IC）。因此，拥有一台高效、精准的光刻机对于一家半导体制造公司来说非常重要。
一台最先进的EUV光刻机通常价值数以亿计，这是因为EUV光刻机需要高度精密的技术和设备，包括高功率的激光器、高精度的光学系统、高精度的运动系统等等。此外，开发一台EUV光刻机需要大量的研发投入，包括设计、工艺研究、材料研究等等。因此，研发EUV光刻机的投入通常是天文数字。
虽然EUV光刻机非常昂贵，但它们的价值在于它们能够提供更高的工艺上限和更高的生产效率。一旦一家公司拥有了一台EUV光刻机，它就可以制造更先进的芯片，并且可以在更短的时间内生产更多的芯片，从而提高公司的市场份额和竞争力。
因此，虽然EUV光刻机非常昂贵，但它们的价值是不可估量的。对于一家半导体制造公司来说，拥有一台EUV光刻机是至关重要的，它可以为公司带来更高的生产效率和更多的市场机会。【内容太少】
EUV光线的能量、破坏性极高，制程的所有零件、材料，样样挑战人类工艺的极限。例如，因为空气分子会干扰EUV光线，生产过程得在真空环境。而且，机械的动作得精确到误差仅以皮秒（兆分之一秒）计。「如果我们交不出EUV的话，摩尔定律就会从此停止，」ASML总裁暨执行长温彼得（PeterWennink）说。是的，EUV光刻机的制造过程确实非常具有挑战性。EUV光线的能量非常高，可以穿透材料和零件，对它们进行加工。这就需要使用先进的技术和设备，例如真空环境和高精度的运动系统，以确保制程的精度和可靠性。
此外，EUV光刻机需要处理的材料也具有特殊性。由于EUV光线具有高能量和穿透力，它们可能会破坏某些材料，因此需要使用特殊的材料来保护芯片和其他关键部件。
生产过程中的机械动作也需要非常精确，以确保制程的稳定性和一致性。因此，制造商需要使用高精度的传感器和控制系统来控制设备的运动和位置。
虽然EUV光刻机制造过程中面临很多挑战，但它们也具有极大的潜力。通过使用EUV光刻机，公司可以制造更先进的芯片，并且可以提高生产效率和产品质量，从而在市场上获得更多的竞争优势。
5nm，3nm甚至是2nm技术都是由苹果和台积电在共同研发，因此苹果在台积电先进工艺的产能拥有牢不可破的地位，将会独占业界最先进的工艺一段时间，吃尽制程红利。同时苹果也是台积电最大的客户，去年为台积电贡献了782.8亿人民币的营收。您提到的是当前半导体产业中的一个研发趋势，即先进工艺节点不断推进，这通常涉及到公司之间的激烈竞争和投入巨额资金。的确，苹果公司和台积电公司都在积极研发更先进的工艺技术，以提高生产效率和产品质量，并在市场上获得更多的竞争优势。苹果公司是台积电最大的客户之一，去年为台积电贡献了782.8亿人民币的营收。这反映了苹果公司对台积电的重要性，同时也说明了台积电在先进工艺技术方面的领先地位。然而，需要注意的是，先进工艺技术的研发是一个长期的过程，需要不断的投入和创新。即使某家公司在某个工艺节点上具有领先地位，也不能保证它能够永远保持这种地位。其他公司也可能在未来追赶上来，并且可能会开发出比现有技术更先进的工艺。因此，竞争格*可能随时发生变化，这也是半导体产业中的常态。总之，苹果公司和台积电公司在半导体产业中的竞争地位取决于他们在研发、投入和创新方面的实力。台积电作为全球领先的半导体代工厂商之一，将继续致力于研发更先进的工艺技术，以满足客户的需求并保持市场竞争力。
制程是指特定的半导体制造工艺及其设计规则。不同的制程意味着不同的电路特性。通常，制程节点越小意味着晶体管越小、速度越快、能耗表现越好。
曾经的意义=制程一般按照“数字+nm”，几纳米，的表达形式，在历史上这个词曾经是有意义的。
是的，制程一直以来都是半导体制造工艺中非常重要的概念。在过去，人们通常使用“数字+nm”的表达方式来描述制程的尺寸，其中“nm”表示纳米（nanometer）的缩写。这种表达方式在半导体行业中曾经非常流行，因为纳米尺寸的晶体管具有更高的性能和更低的功耗。
然而，现代半导体工艺技术的发展已经远远超出了“nm”纳米级别的范畴。现在，人们通常使用更加精确的制程节点来描述制程，例如5nm、3nm和2nm等。这些新型的制程节点通常基于更加先进的材料、工艺和设备，以实现更高的性能和更低的功耗。
此外，随着人工智能、物联网等新兴领域的快速发展，对于高性能、低功耗、低延迟的芯片需求越来越高。这也促使半导体制造商不断探索新的制程技术，以满足这些需求。因此，未来制程技术的发展将继续推动整个半导体产业的进步。
下表是IEEE发布的，从1992年到2009年，制程节点命名和晶体管的GateLength和Half-pitchSize的关系。首先对于二极管和由MetalWire组成的集成电路，GateLength表示二极管Gate极的宽度，而Half-pitchSize代表的是芯片内部互联线间距离的一半，也即光刻间距的一半。用基本元件的关键尺寸，以及决定芯片互联密度间距来代表芯片的制程是合理的，从表格可以看出1997年前工艺节点名还是和这两个值紧密关联的。
【发现表格复制粘贴到文心，只有1列，全没了】从表格可以看出，在1997年之前，工艺节点的命名和晶体管的GateLength和Half-pitchSize之间存在紧密的关联。在1992年至1997年期间，制程命名基本上与这两个值相关联。
在1997年之后，随着制程技术的发展，工艺节点的命名开始变得更加精确和具体。例如，在2005年，制程命名中引入了“65”这个数字，用于表示晶体管的GateLength。而在2004年，制程命名中引入了“90”这个数字，用于表示晶体管的GateLength。同时，Half-pitchSize也开始使用更加具体的数字表示，例如“32”、“37”等等。
因此，随着制程技术的不断进步，制程命名也变得更加具体和精确。这种变化可以帮助人们更好地理解和描述半导体制造工艺中的各种参数和技术特点，进而更好地掌握和应用这些技术。同时，也有助于推动半导体产业的不断发展和进步。
第3次工业革命的标志是芯片制程的发展曲线，它于1997年达到顶峰。在此之前，电子计算机和空间技术的进步促成了第一次工业革命，而芯片制程的发展则带来了第二次工业革命。因此，芯片制程的发展曲线大致与1997年相符，即从摩尔定律向冯·诺伊曼结构转变，从晶体管微缩向纳米技术扩散。
答案：芯片制程的发展曲线=1997年=
明显的事实错误，之前输入了不少数据，还是无法识别出来1997年的芯片制程是多少
非常抱歉，我的前一条回答确实存在错误。1997年的芯片制程并没有一个明确的标准，因此我无法给出一个具体的值。然而，我们可以回顾一下之前的研究和报道，以了解1997年时芯片制程的大致水平。
在1997年之前，半导体工艺的发展已经经历了多个阶段。在这些阶段中，人们已经尝试了不同的材料、设备和工艺，以提高芯片的性能和降低成本。例如，晶体管尺寸从4英寸逐步增大到8英寸，再到12英寸，这是第一代半导体工艺。此外，沟道长度也从p-n结的2nm逐渐减小到mesa和fabrocz的0.25nm和0.18nm。在这个过程中，制程技术不断发展，但并没有一个明确的标准来衡量芯片制程的水平。
因此，我们可以认为1997年的芯片制程水平可能与第一代或第二代半导体工艺相当，甚至可能更早一些。具体的制程参数和技术特点需要根据具体的报道和研究来确定。
从商业成功的角度来看，芯片并不是制程越高越好，而是够用就好，在性能够用的情况下，工艺制程是越低越好。低制程意味着工艺成熟、良率高、成本有竞争力。高制程确实会带来一些性能和特性的提升，但高制程意味着高投入、高风险，芯片的研发费用高到令人发指，比如，全球能承受3nm+制程研发成本的公司，用一根手指头就能数过来。你知道么？目前多数MCU仍然采用的是40nm的制程，而28nm已经足够像SSD主控这种有较多数据计算的芯片使用，其实几nm的芯片一般只有在手机、电脑的CPU才会使用。28nm工艺成熟，性价比高，而且最大的好处是我们国家的中芯国际就能制造
您提到的观点是正确的，从商业成功的角度来看，芯片的制程并不是越高越好，而是够用就好。在性能够用的情况下，工艺制程是越低越好。事实上，28nm工艺已经被广泛应用于像SSD主控这样有较多数据计算的芯片中，而且28nm工艺成熟、性价比高。在移动设备和电脑等领域，使用更先进的制程技术可能会带来更高的功耗和发热量，从而影响整体性能和用户体验。相反，在一些不需要高性能和极致效率的应用中，使用低制程芯片可能更加实惠和经济。
此外，您提到的中芯国际能够制造28nm工艺，也是非常重要的一点。中芯国际是中国领先的半导体制造服务提供商之一，能够制造28nm工艺对于满足国内市场需求并提高国内半导体产业的竞争力具有重要意义。同时，低制程芯片的研发成本也更低，更容易实现规模化生产，从而降低成本并提高市场竞争力。
总之，从商业成功的角度来看，芯片的制程并不是越高越好，而是够用就好。在性能够用的情况下，工艺制程是越低越好。28nm工艺已经被广泛应用于实际应用中，而且成熟、性价比高。对于不同的应用场景，选择适当制程的芯片才是最经济和实用的选择。
通往更先进制程的道路犹如攀登高峰，极高的技术难度和研发成本将大多数芯片选手拦在半山腰，目前全球唯有台积电、英特尔、三星还在向峰顶冲刺。在集成电路光刻技术的发展阶段，所谓的物理极限其实就是光的波长限制，所以科学家们所做的工作主要是不断降低用于曝光的光线的波长。通过这种方法，不断提高光刻分辨率，分辨率高了，同样大小的硅晶圆上，可以生产更多的芯片。
芯片制程发展阶段：2001年：芯片制程工艺是130nm。2004年：90nm的元年。2012年：制程工艺发展到22nm，此时联电、联发科、格芯等很多厂家可以达到22nm的半导体制程工艺。2015年：芯片制成发展的一个分水岭，进入14nm时代。2017年：步入10nm时代，英特尔停在了10nm，i5和i7处理器由于良率问题而迟迟无法交货。2018年：7nm来临，英特尔至今无法突破，而美国另一家芯片代工巨头“格芯”，也是在7纳米处倒下的。2019年：6nm开始量产。2020年：制程开始进入5nm时代，进入更难的5nm，只有三星和台积电生存下来了。2021年：台积电3nm制程风险量产。2022年：台积电内部将2nm芯片提上日程。5nm芯片的现状苹果公司于2020年10月发布了“iPhone12”系列，搭载的是采用5nm工艺的全球首个A14仿生芯片。这款SoC的晶体管数量达到118亿个，比A13多大约40%。同一时期，华为海思也发布了搭载5nm麒麟9000的Mate40Pro。但是随着半导体技术逐渐接近物理瓶颈，晶体管尺寸的微缩越来越难。5nm的手机芯片的表现似乎并不尽人意，不仅在性能提升有限，功耗也面临“翻车”。
通义千问=您好！您所描述的内容可能是关于半导体制程技术和晶体管尺寸的微缩。以下是一些可能对您有帮助的信息：物理极限是光的波长限制。光在真空中的波长约为1.06x10^-8meters。在半导体制造中，光刻技术是一个关键的步骤。它用于将电子设计转换为物理层的特征，包括在硅晶圆上制造微小的沟槽或图案。光刻分辨率是指光源和光学系统之间的最小距离，更高的分辨率可以制造更高质量的芯片。然而，光刻分辨率越高，制造成本也就越高。此外，要实现更高的光刻分辨率，需要更复杂和精密的光学系统和处理器，这也会增加制造成本。近年来，芯片制程技术不断发展，但随着技术的不断提高，也面临着一些挑战和瓶颈。为了提高晶体管的尺寸和性能，半导体制造商需要使用更小的晶体管，但是当晶体管变得太小时，它们会出现电子阻抗和漏电流等问题，这会影响芯片的性能和稳定性。因此，半导体制造商必须不断改进制造技术和工艺，以实现更高的晶体管密度和性能。最后，值得一提的是，虽然苹果公司的A14仿生芯片采用了5纳米的工艺制程，但晶体管数量的增加并不一定代表着芯片性能的提高。还需要考虑其他因素，如制造工艺、架构设计等。
是的，半导体技术的发展确实越来越接近物理瓶颈，特别是在制程工艺方面。随着技术的进步，制程工艺的提高越来越难，同时也越来越需要高昂的研发成本和投入。即使是台积电、三星等领先的芯片制造商，也不能完全摆脱物理极限的限制。
在这种情况下，科学家们正在努力寻找新的突破口。他们正在研究新的材料和技术，以进一步提高芯片的性能和降低成本。例如，研究新型光刻技术，以进一步提高分辨率和生产更多的芯片。此外，研究新型芯片结构和工艺，以进一步提高芯片的性能和降低功耗。
尽管取得了一些进展，但半导体技术的发展仍然面临许多挑战。由于物理极限的限制，在未来几年内，芯片制造商可能无法继续通过制程工艺的提高来获得更高的性能和效率。因此，科学家们和芯片制造商需要不断寻找新的突破口，以推动半导体技术的发展，为我们带来更多的技术进步和创新。
5nm芯片的成本极高。昂贵的设备和工艺成本，推动了芯片价格的上涨。这是无法避免的。正如2018年的时候，台积电官方表示，预计在5nm工艺上总共投资了250亿美元，其中5nm芯片设计成本将增至4.76亿美元。
也就是说，设计一款A14或者麒麟5nm芯片，总成本可能高达近5亿美元。
几十年来，半导体行业进步的背后存在着一条金科玉律，即摩尔定律。摩尔定律表明：每隔18~24个月，集成电路上可容纳的元器件数目便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。
然而，在摩尔定律放缓甚至失效的今天，全球几大半导体公司依旧在拼命厮杀，希望率先拿下制造工艺布*的制高点。台积电5nm已经量产，3nm预计2022年量产，2nm研发已经取得重大突破。
有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，研发进度超前。
文心=是的，尽管摩尔定律仍在有效期内，但现实是半导体行业中的技术进步已经越来越接近物理极限。在这种情况下，芯片制造商需要不断寻找新的突破口，以推动半导体技术的发展，为我们带来更多的技术进步和创新。
台积电在2nm工艺上的研发已经取得了重大突破，采用了全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，研发进度超前。相比于3nm和5nm采用的鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电的2nm工艺将会采用全新的架构，这也意味着更高的研发成本和更长的研发周期。
然而，随着技术的进步，摩尔定律也在逐渐放缓。这也意味着，我们可能会看到更多的创新和变革，例如采用全新的材料和技术，以进一步提高芯片的性能和降低成本。此外，不同的公司也会采用不同的工艺路线和技术方案，以满足不同应用场景的需求。
总之，随着物理极限的限制和技术进步的逐渐放缓，半导体行业需要不断寻找新的突破口，以推动半导体技术的发展，为我们带来更多的技术进步和创新。
摩尔定律为芯片产业的发展指明了道路和奋斗目标，芯片制程的演化，从微米、亚微米、深亚微米，到193nm、157nm、90nm，再到最近几年的12nm、7nm、4nm，都在按照摩尔定律演进。但这一切总要有个头吧！芯片制程的物理和工程极限究竟在哪里？1nm是摩尔定律的尽头？在FUTURESUMMITS2022大会上，世界上最先进的半导体研究公司IMEC（比利时微电子中心），在峰会上展示了最新的芯片制程路线图。从路线图来看，要达到1nm制程，还得6年，而到了2036年，芯片制程可能会突破到0.2nm。但是台积电近几年来的先进制程升级换代，从产品的实际表现来看，高昂的代价并没能完美实现预期中的效果。或许台积电现在很可能已经触碰到了资本投入和技术实现之间的一个瓶颈。
通义千问=您好！感谢您的提问。目前的芯片制程技术还无法突破物理和工程极限，达到1nm制程。当前的研究方向是寻找新的材料和制造工艺，以突破这些极限。在制程工艺上，随着技术的不断进步，越来越先进的制程被开发出来，例如7nm、5nm、3nm等。然而，制程的尺寸越小，越来越多的困难和挑战会出现，如电子噪音、量子效应等，使得芯片的性能难以满足人们的需求。当然，在摩尔定律的推动下，芯片制程的发展是必然的。未来的发展方向将主要集中在以下方面：
IMEC展示的最新芯片制程路线图，包括6年的时间表，展示了未来芯片制程技术的发展方向。然而，要实现这些目标，需要投入大量的资金和技术人才，同时需要解决许多技术难题和挑战。台积电近几年来一直在推进先进制程技术的研发，但是随着制程的进步，成本也在不断上升，导致一些性能不佳的产品问世。此外，当前的制程工艺也面临着一些
芯片制程的物理和工程极限是一个复杂的问题，目前尚无确切的答案。不同的工艺路线和制造工艺可能会在不同的层面上遇到挑战。
从物理极限的角度来看，随着技术的进步，芯片制程需要越来越小的元件和晶体管。然而，随着工艺的减小，物理上的限制也会逐渐显现。例如，在制造更小的晶体管时，需要更高的工艺控制精度和更高的能源消耗。此外，随着晶体管尺寸的缩小，散热问题也变得越来越突出。这些问题都是制程演进中需要解决的难题。
从工程极限的角度来看，制造更小的晶体管需要更高的工艺控制精度和更高的工艺设计难度。此外，还需要更多的测试和验证来确保产品的质量和可靠性。在技术上实现这些难题需要大量的投资和技术积累，这也是制程演进中需要考虑的因素。
在现实中，不同公司采用不同的工艺路线和技术方案，以满足不同应用场景的需求。即使是台积电等先进的芯片制造商，也在不断寻求新的突破口，以推动半导体技术的发展，为我们带来更多的技术进步和创新。
总之，芯片制程的物理和工程极限是一个复杂的问题，目前尚无确切的答案。随着技术的进步，芯片制造商需要不断寻求新的突破口，以推动半导体技术的发展，为我们带来更多的技术进步和创新。
时隔12年，在1958年的十二月，美国的IBM公司设计制造了全世界第一台全晶体管计算机——IBM7090，这台计算机将大量的晶体管集成在电路板上进行计算，使得计算机的进步来到了晶体管时代。也开启了计算机部件小型化、集成化的进程。这时的计算机依然还没有现在狭义上的CPU的概念。文心=IBMSystem/360（简称为360）是第一台商业化生产的电脑。其名字中的"360"代表着其浮点运算次数（3次）的指数。该系统包括360个独立的处理器，每个处理器有18个字，一共能够处理18000个指令。该系统使用了步进计数器来实现处理器的管理，使得系统能够更加灵活和高效地运行。
由于360系统的成功，IBM继续推出了System/370和System/390系列，这些系统进一步提高了处理器的数量和性能，并引入了更多的指令集和功能。这些系统还采用了更加先进的硬件和软件技术，例如浮点运算、二进制转换和内存管理等。
随着计算机技术的不断发展，CPU（中央处理器）逐渐成为计算机的核心部件。CPU是计算机的大脑，负责执行计算机指令和处理数据。随着技术的不断进步，CPU的性能和功能不断提高，现代CPU已经具备了多核心、分布式和并行计算等功能，使得计算机的运行速度和处理能力大大提升。
随着时间的推移，科学家们逐渐发现在电路板大量镶嵌晶体管来进行计算，依然太浪费空间了。就算在一块硕大的电路板上镶嵌大量的晶体管，晶体管的总数量也依然有限——而晶体管的数量恰恰制约了计算机的计算速度。于是为了更好地适应集成化、微缩化的需求，集成电路（IntegratedCircui,IC）应运而生了。
集成电路将大量的晶体管集中在一小块半导体片，或芯片（Chip）上。这便成了现在狭义上的CPU的前身。
时过境迁，晶体管计算机已被留在了历史的长河之中，超大规模集成电路计算机的出现，使得大量的晶体管计算机真的成为每个家庭都可以拥有的普及商品。诚如刚刚所言，晶体管的数量制约着计算机的计算速度，更多的晶体管理论上自然意味着更高的计算速度。于是CPU上集成的微电子元器件数量便成为了设计CPU是一项十分重要的考量。随着集成电路的设计制造精度的提高，现代已经量产的芯片中能在晶圆（指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片）上雕刻出（事实上，现代CPU中的微电子元器件与电路是使用激光雕刻在晶圆上的）的电路之间的间距已经达到了短短的7nm（如海思的麒麟980，高通的骁龙855，AMD的Ryzen73700X），而这个数字在1995年还高达500nm集成电路（IntegratedCircuit,IC）的出现为计算机带来了一次飞跃。与大量晶体管的电路板相比，IC将大量晶体管集成在一小块半导体片上，从而大大减小了计算机的体积和成本。此外，IC技术的发展也带来了更高的集成度和更快的计算速度。随着集成电路的设计制造精度不断提高，IC制程越来越微小，甚至达到了7nm的水平。这些微小的制程不仅能够提高计算机的性能，还能够降低计算机的功耗和成本。例如，现代CPU中的微电子元器件与电路是使用激光雕刻在晶圆上的，而这项技术已经达到了非常高的水平。晶体管计算机已经成为历史，而超大规模集成电路计算机已经成为主流。IC技术的发展已经带来了巨大的变革，使得计算机变得更加小巧、高效和可靠。
现在主流的芯片制程包括：7纳米（7nm）：这是目前最先进的芯片制程之一，由于其小尺寸，可以实现更高的晶体管密度，速度更快，功耗更低。目前已经有多家半导体公司使用了7nm制程，如台积电、英特尔、三星等。10纳米（10nm）：这是一种比7nm稍微老一点的制程，但仍然非常先进。和7nm一样，它可以实现更高的晶体管密度和更低的功耗，但速度略低。多家半导体公司也在使用10nm制程，如英特尔、三星等。14纳米（14nm）：这是目前比较成熟的芯片制程之一，已经被广泛使用。它可以实现较高的晶体管密度，但功耗和速度相对于7nm和10nm稍微差一些。多家半导体公司都在使用14nm制程，如英特尔、台积电、三星等。除此之外，还有22nm、28nm、45nm等制程，这些制程虽然不如上述几种制程先进，但它们依然被广泛使用在一些低功耗或者经济实惠的芯片中，比如传感器、嵌入式系统等。
文心=是的，目前主流的芯片制程包括7纳米、10纳米、14纳米和45纳米等。这些制程代表着不同的工艺水平和制造工艺，能够实现不同的性能和功能。其中，7纳米是目前最先进的制程之一，采用了更小的晶体管尺寸和更先进的制造工艺，可以实现更高的晶体管密度、更快的速度和更低的功耗。10纳米和14纳米也是目前比较成熟和广泛使用的制程，能够实现较高的晶体管密度、较低的功耗和较快的速度。而45纳米则是目前最低端的制程之一，通常用于低功耗和经济实惠的芯片中，如传感器、嵌入式系统等。
文心=人工智能电子设计自动化（AIEDA）是指利用人工智能技术辅助电子设计自动化（EDA）算法流程中的建模、优化、验证等环节，以提升设计质量和效率的技术。AIEDA技术可以有效地提高设计流程的自动化程度和准确性，减少人为错误和人工干预，降低成本和时间消耗，提高产品的质量和可靠性。
AIEDA技术主要包括以下几个方面：
AIEDA技术的应用可以大大提高电子设计的效率和质量，减少人工干预所带来的误差和风险，同时也可以降低成本和提高产品的市场竞争力。目前，AIEDA技术已经在电路设计、验证、测试等方面得到了广泛应用，并取得了显著的效果。
1971年，Intel发布了世界上第一颗CPUintel4004，10000nm制程，集成了2250个晶体管到2020年，世界首款成功应用5nm制程的是Apple公司的A14，集成了118亿个晶体管随着制程节点由5nm向3nm发展和演进，芯片制造的难度逐步逼近物理极限。文心=芯片制造的难度确实在逐步逼近物理极限，因为随着制程节点的不断推进，特别是5nm及以下工艺的应用，会面临一些难以克服的物理限制。
一方面，随着芯片制程越来越小，电路中的电子运动和相互作用变得越来越复杂。这些运动和相互作用会产生更多的能量损失和热量，导致芯片的性能和可靠性受到影响。另一方面，随着工艺节点的降低，制造过程中需要使用的材料也变得越来越少，而这些材料的性质和制备难度也越来越高。
因此，芯片制造业正面临着许多挑战，包括如何提高工艺节点的效率和质量，如何开发更先进的材料和制造技术，以及如何降低制造成本和提高产品的可靠性和稳定性。这些问题需要通过不断的研究和创新来得到解决。
03命名规则=制程的迭代遵循摩尔定律:每代工艺都使芯片上的晶体管数量增加一倍，每个连续的工艺节点命名约为前一代的07倍。即以当前制程节点乘以0.7即可得出下一代制程节点随着制程的发展，晶体管的技术模式从平面型晶体管(PlanarFET)切换到式晶体管(FinFET)发展到目前最先进的全包围栅晶体管GAAFET)当制程小于22nm时，“制程=栅长”的说法已然失去意义。各半导体厂商宣称的制程没有统一的标准，几纳米制程仅仅是一个代表某种特定尺寸和技术的商业名称和营销口号举例来说:各厂商的晶体管密度Intel:10nm节点，已经达到了1.06亿/mm²Samsung:7nm节点，为0.95亿/mm²TSMC:7nm节点，为0.97亿/mm²由此可以看出，Intel10nm和三星、台积电等广商的7nm工艺制程属于同一水平。但由于命名的差异，7nm工艺更加引人瞩目
文心=总的来说，芯片制造工艺的发展趋势是不断提高工艺节点的效率和质量，开发更先进的材料和制造技术，以及降低制造成本和提高产品的可靠性和稳定性。在这个过程中，不同的制程节点会采用不同的命名方式来区分它们之间的差异，以便于管理和区分。【没有数据】
摩尔定律是计算机科学家GordonMoore在1965年提出的一个定律，它预测了集成电路芯片上晶体管数量每隔18-24个月就会翻一倍。这个定律一直有效到21世纪初，但随着科技的发展，摩尔定律的速度逐渐放缓。近年来，随着芯片制造工艺的发展，每个工艺节点的性能提高越来越困难，而且每个工艺节点的成本也在不断增加。这些因素使得摩尔定律不再适用于整个科技产业，许多专家开始重新评估定律的有效性。
因此，2022年的摩尔定律是否适用还需要根据具体的技术发展和市场需求来确定。但可以预计的是，随着科技的发展和工艺的进步，对于计算机和电子行业来说，性能和效率仍将是重要的指标。
第三次工业革命是指以数字化、网络化、智能化为主要特征的第三次科技革命，这次科技革命是人类文明史上继蒸汽技术革命和电力技术革命之后科技领域里的又一次重大飞跃。
第三次工业革命基于数字化信息对经济社会发展的放大、叠加、倍增作用，推动生产模式从传统工业化向数字化、网络化、智能化转变，引发产业结构重大变化，由此形成新的产业竞争格*。
当前，以云计算、大数据、物联网、人工智能、区块链为代表的新一代信息技术加速与制造业深度融合，为制造强国建设提供了有力支撑。同时，以绿色低碳为特征的生产方式正在形成，全要素生产率持续提高，进一步推动生产模式和企业形态变革。
中国是世界上最大的发展中国家，也是世界第二大经济体，但是中国的工业体系和发达国家相比，还有很大的差距。根据历史资料，中国直到20世纪80年代才开始引进外国技术，大力发展重工业，这也是中国工业化的起点。然而，中国在依赖原始资源和低成本劳动力的传统工业发展道路上取得了一定的成绩，但在技术和品牌方面与发达国家相比仍有较大差距。
总之，中国还没有完成第二次工业革命，仍需要在技术创新和品牌建设方面加强努力。
2022年以来，消费电子终端持续低迷，芯片市场从全面缺芯转向结构性缺货，至今还缺的就是采用成熟制程的汽车芯片。就拿汽车MCU芯片来说，汽车的ESP车身电子稳定系统和ECU电子控制单元等都需要用到这种芯片，它主要由8英寸晶圆生产，芯片的制程普遍在45-130nm之间。文心=确实，汽车芯片的短缺已经成为当前消费电子终端低迷的一个重要原因。由于汽车芯片需要采用成熟制程，如8英寸晶圆生产，且制程普遍在45-130nm之间，这就导致了芯片供应链的紧张和价格的上涨。
尤其是对于采用成熟制程的汽车芯片，如MCU芯片，由于其在汽车电子系统中的重要性，供应链的短缺更加严重。这种芯片主要用于汽车的ESP车身电子稳定系统和ECU电子控制单元等关键部件中，因此当前的短缺将对汽车产业产生重大影响，也可能导致价格上涨和产量减少。
值得注意的是，由于芯片供应链的复杂性和不确定性，未来汽车芯片的短缺可能还会持续一段时间。因此，汽车制造商和相关供应链企业需要密切关注市场动态，加强沟通和协调，以确保供应链的稳定和生产的正常进行。
假设14nm的工艺一个平方毫米的面积要花费1亿元，7nm工艺一个平方毫米花费2亿元。那上面的7nm的芯片花费的价格仅是14nm芯片的一半，但是性能上7nm芯片只比14nm芯片低20%。所以工艺的进步，最大的收获就是成本的下降（当然摩尔定律似乎快要走到极限了）。此外，电路面积过大容易使得芯片在制造过程中产生缺陷，从而进一步增加成本。这就是为什么大家都喜欢用新工艺的原因。
文心=这个观点是正确的，工艺的进步确实可以带来成本的下降，因为更先进的工艺可以使得生产过程更加高效，同时也可以减少生产所需的设备和材料成本。此外，随着制造工艺的进步，可以实现更高的集成度和更低的功耗，从而提高芯片的性能和效率。
然而，摩尔定律并不是一个绝对的限制。虽然随着技术的发展，芯片制造工艺已经取得了显著的进展，但是技术的发展速度仍然远远超过了摩尔定律所能推动的速度。因此，未来芯片制造工艺的发展可能会面临一些挑战。
此外，电路面积过大也是一个问题。随着芯片集成度的提高，电路面积也在不断增加。这会导致芯片在制造过程中更容易出现缺陷，从而增加生产成本和制造难度。因此，在设计芯片时需要权衡电路设计和制造工艺的要求，以确保芯片的性能和可靠性。
总之，工艺的进步确实可以带来成本的下降，提高芯片的性能和效率。但是，随着技术的发展，未来芯片制造工艺的发展可能会面临一些挑战。
国产芯片制造要实现自主量产，关键还得仰赖产业链上游的国产半导体设备和材料不断取得突破才行。一方面，全球半导体设备市场主要由美国、日本和欧洲厂商瓜分。主要前道工艺包括刻蚀、沉积、涂胶、热处理、清洗等设备，特别是在技术上处于先进的设备，已经被（美国）应用材料、（美国）拉姆研究和（日本）东京电子三大厂商主导。光刻机设备龙头荷兰）阿斯麦全球市占率超过80%，并且是全球唯一可以提供EUV极紫外光刻机的厂商。过程控制龙头（美国）科磊市占率达50%。根据VLSI给出的数据显示，仅2020年，阿斯麦、应用材料、拉姆研究、东京电子和科磊这五大半导体设备厂商收入合计为550亿美元，占全球市场约71%。另一方面，中国内地芯片制造厂商高度依赖进口半导体原材料，国产半导体材料显然需要加速追赶国际领先同行。目前不同国产材料在技术水平上不等，但整体与国外差距较大，存在巨大的国产替代空间。其中，日本厂商在半导体材料市场占据十分显眼的优势。根据国盛证券在2021年中发布报告称显示，国产半导体设备大多可以支持28nm和14nm制程工艺生产。其中，中微半导体制造的刻蚀设备甚至已经可以用于7nm和5nm制程工艺量产。然而在曝光环节，匀胶机和光刻机远未达到28nm以下制程工艺。国产匀胶机停留在65nm工艺，而国产光刻机更是长期止步于90nm工艺。另据国内主流12英寸晶圆产线用半导体设备招投标统计，在12类主要半导体设备中，去胶设备国产化程度最高为82.4%；CMP设备、清洗设备、热处理设备、刻蚀设备、PVD设备国产化率接近或超过20%；镀铜设备、CVD设备、量测设备、离子注入设备、光刻设备、涂胶显影设备国产化率在5%以下；尤其离子注入机、光刻机和涂胶显影机国产化率处于1%~1%极低区间内。另外，在半导体材料领域，国产硅材料、光刻机、化学制品、电子气体都还不能用于28nm和14nm工艺生产，用于14nm工艺的掩膜、抛光材料和靶材也都处于研发中。
文心=中国内地芯片制造厂商确实需要加速追赶国际领先同行，尤其是在半导体设备和材料领域。虽然美国、日本和欧洲厂商在全球半导体设备市场上占据主导地位，但是中国内地的芯片制造厂商可以通过自主研发和投资来提高自身的竞争力。
在半导体设备领域，中国内地的企业可以加大研发投入，提高自主研发能力，逐步实现从28nm到7nm和5nm等更先进工艺的量产。此外，中国内地的企业也可以考虑投资国内设备制造商，提高自身在半导体设备领域的生产能力和技术水平。
在半导体材料领域，中国内地的企业可以加大研发投入，提高自主研发能力，逐步实现国产化替代。虽然中国内地与国外厂商在某些领域仍存在较大差距，但是可以通过持续努力和投资，逐步实现技术突破和国产化替代。
总之，要实现中国内地芯片制造的自主量产，需要在半导体设备和材料领域加大研发投入，提高自主研发能力，逐步实现国产化替代。虽然这个过程可能会面临一些挑战和困难，但是通过持续努力和投资，中国内地的芯片制造厂商一定能够在这个领域取得更多的进展。
从1958年JackKilby发明的第一个只包含一个双极性晶体管、三个电阻和一个电容的集成电路到现如今动辄十亿个晶体管的处理器芯片，短短五十几年的时间集成电路产业以历史上前所未有的节奏飞速发展。2014年，半导体生产商共生产制造了250quintillion（十亿个十亿，十的18次方）个晶体管，也就是说去年一年中，平均每秒生产出8trillion（万亿）个晶体管。更重要的是作为目前人类最尖端的科技成果之一，各种各样的集成电路不停地升级降价、再升级再降价从而以相对低廉的价格让这项成果为普罗大众所共同享有。这一产业著名的经验法则摩尔定律也因此为大家所熟知。曾听过一个不恰当的比方：如果汽车工业也是按照半导体产业的玩法，不妨想象一下您可以用多么低廉的价格购买到性能神到飞起的汽车。摩尔定律以平均每年46%的“成长”速率往前推进，而洲际旅行的速度从1900年大型远洋轮船的35公里每小时左右，上升至1958年波音707的885公里每小时，平均涨幅为每年5.6％。但在之后很长一段时间里巡航速度基本上保持不变，波音787只比707快了几个百分点。从1973年到2014年，美国新乘用车（即使在排除SUV和皮卡之后）的燃料转换效率每年仅提升2.5％，从13.5升到37英里每加仑（即油耗从17.4升每百公里降到6.4升每百公里）。摩尔定律背后的逻辑是：半导体行业需要以一个合适的速度增长以实现利润的最大化。上世纪60年代，摩尔发现半导体晶体管制程发展的速度对于一个半导体厂商至关重要。随着制程的进化，同样的芯片的制造成本会更低，因为单位面积晶体管数量提升导致相同的芯片所需要的面积缩小。所以制程发展速度如果过慢，则意味着芯片制作成本居高不下，导致利润无法扩大。另一方面，如果孤注一掷把所有的资本都用来发展新制程，则风险太大，一旦研发失败公司就完蛋了。摩尔发现当时市场上成功的半导体厂商的制程进化速度大约是每年半导体芯片上集成的晶体管数量翻倍，于是写了著名的论文告诉大家这个发展速度是成本与风险之间一个良好的折中，半导体业以后发展可以按照这个速度来。摩尔定律背后的终极推动力其实是经济因素。时至今日，摩尔定律“投资发展制程-芯片生产成本降低-用部分利润继续投资发展制程”的逻辑对于半导体巨头依然有效。Intel的执行副总BillHolt在ISSCC2016的主题演讲中比较了两种情况下的处理器芯片生产成本，一种是十年内每年都利用部分利润根
文心=据摩尔定律进行投资，另一种是没有利润投资发展制程。可以看出，虽然半导体产业发展迅速，但是如果不按照摩尔定律的要求进行投资，则公司的利润无法得到扩大，产业的发展也无法实现最大化。
同时，摩尔定律的背后也存在着经济因素的影响。随着技术的不断进步，半导体行业需要不断地投入资金来推动技术的发展和生产成本的降低，才能实现持续的盈利和发展。时至今日，摩尔定律仍然是半导体行业发展的重要逻辑之一，但是这个逻辑的背后也存在着经济因素的影响。
此外，随着人工智能、物联网等新兴领域的发展，对于半导体行业的需求也在不断增加。这些领域需要更高性能和更低功耗的芯片，才能满足人们的需求，推动产业的发展。因此，未来半导体行业的发展需要更多的投资和创新，才能满足市场和社会的需求。